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HP et SanDisk s’allient pour développer une mémoire 1000 fois plus rapide

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Après Intel et Micron, c’est  au tour de HP et SanDisk de  se lancer dans la conception  d’une nouvelle génération de  mémoire.  Les deux firmes ambitionnent  de créer une mémoire 1000 fois  plus rapide que la mémoire flash  actuelle, et 1000 fois plus endurante.

Ce niveau de performance  permet également de proposer une  alternative moins coûteuse à la  mémoire DRAM, utilisée comme  mémoire vive dans les ordinateurs  et les appareils mobiles. Les deux  constructeurs vont combiner leurs  technologies respectives, ReRAM  pour SanDisk et Memristor pour HP.

Ce dernier, considéré comme une  révolution dans le domaine, est un  composant encore théorique qui a  la particularité d’avoir une valeur de  résistance qui change lorsqu’un courant  est appliqué. Valeur qui peut  être ensuite interprétée comme un  «0» ou un «1»

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